【存儲性能】作為移動設(shè)備的“硬盤”，廠家似乎不愿多談。但是對于較真的人們來說，熱門Android手機(jī)和iPhone之間，又可以拉出多大的差距呢？

外媒AnandTech特地對包括iPhone 6s Plus、三星Galaxy S7/S6/S6 edge、S5、小米Note Pro、華為P8/Mate 8/榮耀5X、LG G4、Google Nexus 5X/6P在內(nèi)的十余款設(shè)備進(jìn)行了磁盤性能測試。

令人驚訝的是，在內(nèi)部閃存順序讀寫測試中，iPhone 6s Plus均遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其它Android競爭對手。持續(xù)寫入測試中，排名前三的分別為iPhone 6s Plus（163.20 MB/s）、三星Galaxy S7（64.49 MB/s）、以及Galaxy S6 / S6 edge（并列40.69 MB/s）。

在順序讀取測試中，排名前三的也是這幾個，其中iPhone 6s Plus的成績?yōu)?02.35 MB/s、三星Galaxy S7為233.27MB/s、Galaxy S6/S6 edge并列208.69MB/s。

iPhone 6s之所以這么快（相較于iPhone 6），是因為蘋果改變了內(nèi)存的處理方式。根據(jù)AnandTech的詳細(xì)所述，蘋果選用了在MacBook SSD上創(chuàng)下驚人速度的主控，在將之改造后塞進(jìn)了智能機(jī)中。

此外，報道還提到iPhone 6s采用了定制NAND閃存和NVMe協(xié)議，而不是UFS或傳統(tǒng)的eMMC。iPad Pro、iPhone SE等2015款機(jī)型，也都使用了相同的存儲類型。

在測試中，蘋果的存儲，輕松擊敗了搭載UFS 2.0閃存的Galaxy S6系列，即使后者已經(jīng)算是相當(dāng)快了。2月份的時候，三星宣布其UFS 2.0技術(shù)變得更快、容量也提升到了256GB —— 順序讀取可達(dá)850MB/s、持續(xù)寫入也有260MB/s。

遺憾的是，在AnandTech的測試中，該公司最新款的Galaxy S7和Galaxy Note 7都沒能打破iPhone 6s創(chuàng)下的紀(jì)錄。在本周舉辦的“2016移動與物聯(lián)網(wǎng)論壇”上，三星提到了UFS存儲對于4K/8K/VR內(nèi)容的意義。Cho Hee-chang預(yù)計，到2020年的時候，聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)量會達(dá)到500億左右。

Galaxy S和Galaxy Note等產(chǎn)品上使用的UFS 2.0和UFS 2.1內(nèi)置存儲（其理論速度可達(dá)1.2GB/s），將于2018上半年提升至2.4GB/s。此外，三星還希望將UFS card v1.0（最新的microSD外置存儲產(chǎn)品）的速度翻倍，從此前的600MB/s、提升到USF card v2.0的1.2GB/s。